曝光时,在掩膜板的辅助下,使用特定波长的光对覆盖在晶片上的光刻胶进行选择性照射。 MC13201FC光刻胶中的感光剂会发生光化学反应,从而使正胶与负胶被照射区域化学成分发生变化,这些化学成分发生变化区域的光刻胶,在下一步显影中正胶被保留,负胶被显影液溶解掉。曝光中涉及的主要参数有曝光能量、对版精度、曝光方式等,这些参数都会很大程度影响光刻的效果。

   曝光方式上有接触式曝光和非接触式曝光。其中接触式曝光做出的图形更加接近掩膜板,但是曝光时晶片对掩膜板的刮伤也会加重,使得图形不完整,需要更换更多的掩膜板。非接触曝光不会对掩膜板产生刮伤,但是由于晶片与掩膜板之间存在一定的间隙,会对曝

光效果产生一定的影响。