涂胶
发布时间:2016/8/3 21:59:32 访问次数:696
晶片前烘并成底膜处理后,应马上涂覆光刻胶。最常用的涂胶方法是旋转涂胶。图⒋10是涂胶的4个步骤。JST7824CV首先在晶片静止或者转速很慢时将光刻胶滴在晶片的中央,然后开始慢速旋转,使光刻胶均匀的伸展覆盖到整个晶片表面,同时多余的光刻胶被甩到胶槽中,最后晶片以某一固定的较高转速旋转,使光刻胶中的溶剂成分挥发,得到几乎干燥的均匀覆盖有光刻胶的晶片。
旋转涂胶设计的主要参数有光刻胶的黏度、滴胶量、旋转速度等。滴胶量很大程度取决于光刻胶的黏度。在转速相同的情况下,一般黏度越大,需要的滴胶量越小。影响光刻胶在晶片上的厚度和均匀性最关键的参数是光刻胶黏度和旋转速度。一般光刻胶供应商都在产品规格书上公布其产品成分及胶厚与转速变化的数据,黏度越高转速越慢,得到的光刻胶越厚。值得一提的是,光刻胶喷嘴距晶片的高度以及与晶片的相对位置也会影响光刻胶的厚度和均匀性。光刻对作业环境要求很高,环境的温度和湿度对光刻效果有强烈的影响。一般LED芯片制造用的自动匀胶机都会配备边胶去除装置,用于去除因为离心力的原因导致由晶片边缘向背面流动的光刻胶。边胶的去除是在涂胶后软烤前完成的。
晶片前烘并成底膜处理后,应马上涂覆光刻胶。最常用的涂胶方法是旋转涂胶。图⒋10是涂胶的4个步骤。JST7824CV首先在晶片静止或者转速很慢时将光刻胶滴在晶片的中央,然后开始慢速旋转,使光刻胶均匀的伸展覆盖到整个晶片表面,同时多余的光刻胶被甩到胶槽中,最后晶片以某一固定的较高转速旋转,使光刻胶中的溶剂成分挥发,得到几乎干燥的均匀覆盖有光刻胶的晶片。
旋转涂胶设计的主要参数有光刻胶的黏度、滴胶量、旋转速度等。滴胶量很大程度取决于光刻胶的黏度。在转速相同的情况下,一般黏度越大,需要的滴胶量越小。影响光刻胶在晶片上的厚度和均匀性最关键的参数是光刻胶黏度和旋转速度。一般光刻胶供应商都在产品规格书上公布其产品成分及胶厚与转速变化的数据,黏度越高转速越慢,得到的光刻胶越厚。值得一提的是,光刻胶喷嘴距晶片的高度以及与晶片的相对位置也会影响光刻胶的厚度和均匀性。光刻对作业环境要求很高,环境的温度和湿度对光刻效果有强烈的影响。一般LED芯片制造用的自动匀胶机都会配备边胶去除装置,用于去除因为离心力的原因导致由晶片边缘向背面流动的光刻胶。边胶的去除是在涂胶后软烤前完成的。
相关技术资料- 8-3涂胶
- 相关IC型号
- JST7824CV
- 暂无最新型号
公网安备44030402000607
