RPD原理
发布时间:2016/8/3 21:46:43 访问次数:11180
等离子体沉积(Rcactivc Plasma Di叩osition,RPD)的原理与电子束蒸发和溅射均不相同,其原理如图⒋5所示。 JST7806CV它是等离子体发生器发出等离子体流经过磁场偏转打在ITo源 上,ITo发生升华沉积到待沉积晶片上。由于ITO源和晶片之间的偏压较小,所以不会对晶片表面产生损伤,这个也是RPD较Sputtcr的优势所在,但是经过调整合适的溅射参数,spu⒒e⒈ITo也能做到对晶片无损伤。
等离子体沉积(Rcactivc Plasma Di叩osition,RPD)的原理与电子束蒸发和溅射均不相同,其原理如图⒋5所示。 JST7806CV它是等离子体发生器发出等离子体流经过磁场偏转打在ITo源 上,ITo发生升华沉积到待沉积晶片上。由于ITO源和晶片之间的偏压较小,所以不会对晶片表面产生损伤,这个也是RPD较Sputtcr的优势所在,但是经过调整合适的溅射参数,spu⒒e⒈ITo也能做到对晶片无损伤。
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