现代的商业化产品多为LP-MOCVD。需要说明的是,虽然LP-MOCVD最初是借鉴si材料的LPCVD工艺,但两者的外延生长控制机理并不相同网。在Si外延工艺中, AAT2522IRN-1-T1通过降低反应室的压力增加原材料的质量输运过程,使表面反应动力学成为限制生长速率的主要素。材料的均匀性通过精确控制衬底温度分布实现,另外,由于原材料的质量输运过程很快,衬底可以密集竖直摆放,利于大批量生产。而对于MOCVD外延的Ⅲ-V族材料,如果外延生长处于反应动力学控制区,由于外延温度太低,外延层的材料质量很差,因此 LP-MOCVD的反应室压力虽然相对AP-MOCVD来说是降低了,但材料的外延

仍处于质量输运控制区。

   与AP-MOCVD本目比,LP-MOCVD有许多优点。首先,LP-MOCVD具有高的Mo源利用效率。图3-7是在不同反应室压力下以TMGa和AsH3在GaAs衬底上外延GaAs时生长速率与温度的关系。由图可见,在TMGa和AsH3分压固定的情况下,当反应室压力由常压10Va(76oT。J)降为10°Pa(76ToⅡ)时,生长速率明显得到提高。分

析认为,通入反应室的TMGa和AsH3分子 在到达衬底表面之前,在低压环境下气相相遇的机率减小,降低了气相的均相反应,因此原材料的利用率提高。第二,降低反应室压力会抑制甚至消除由于对流引入的涡流,减小气相寄生反应,有利于获得陡峭的异质界面。第三,随反应室压力的降低,反应原材料沿衬底表面横向的扩散系数增加,有利于多片大规模生产反应室的片间均匀性控制。最后,需要再次强调的是,对于不同的设备,具体的工艺条件往往是不同的,同一台设备即使是原材料的更换也可能对外延层的性质产生影响。同一台设备外延不同材料时的优化工艺参数也是不同的。因此,在实际的材料外延过程中,要根据外延层的测试结果对各工艺参数进行调整,并不断积累经验。