低V/III比时本底G扒s表现为p型与C的寄生掺杂有关,C在GaAs中占据As位起受主杂质作用。本底GaAs中的寄生C杂质来源于TMGa源中的CH3官能团,当V/III较低时,来自CH3中的C就会有更多机会占据As位。 AAT2512IWP-AA-T1随着V/III比的增加,一方面C占据As位的机率减小,另一方面来自AsH3裂解的H会与C比结合形成稳定的CH4从外延表面脱附,使得C自掺杂的浓度降低。随着C自掺杂浓度的降低,来自Ⅲ族和V族原材料中的施主杂质Gc和si的作用逐步增加,使得材料由p型转化为n型。

    V/Ⅲ比不但对本底材料的掺杂特性有影响,而且对主动掺杂材料的掺杂特性也有影响。在实际的材料外延过程中,V/III比的调整是通过改变V族源的流量来实现的,Ⅲ族源的改变则用来控制生长速率。

   反应室的压力也是影响外延层材料质量的重要因素,据此可分为常压MOCVD(AP-MOCVD)系统和低压MOCVD(LP-MOCVD)系统。AP-MOCVD有设备简单和成本低的优点,相对而言,LP-MOCVD则需要抽真空系统和反应室压力控制系统,设备的复杂度及维护成本较高。