Jollgwoon Parkll叨等人采用在hGaN量子阱中嵌入一层较薄的delta-AlGaN层的方法生长了不规则量子阱,实现了载流子分布的调整,其结构如图⒉20所示。 L6561D013TR另外还有通过在量子阱中插入一层极薄的hN层也可有效抑制传统InGaN量子阱中极化电场导致的量子限制斯塔克效应,增强电子空穴在空间上的分布重叠性,获得高的电子空穴复合效率,如图2-21所示。

   图⒉20 具有dcka~AlGaN插入层的量子阱能带结构示意图

   三角形量子阱结构也是一种比较常见的非常规量子阱结构。在三角阱结构中,电子和空穴都将被限制在三角形量子阱内的势能极低值处,即使在极化电场的作用下,量子阱能带发生弯曲,导带和价带的势能极低值在空间上仍然处于同一个位置。因此对于三角形量

子阱,能带弯曲不会造成电子和空穴在空间上的分离,电子空穴波函数的重叠积分不会有太大变化,辐射复合效率不再受到极化效应的影响,如图⒉22所示。