AlGaN电子阻挡层
发布时间:2016/7/31 16:38:09 访问次数:3756
AlGaN电子阻挡层(Electron blOcking layer,EBL)中存在的极化效应也会导致能带弯曲。在EBL与有源层的最后一个垒的界面处,EBL材料的能带向下弯曲,造成电子泄露。 AF60N03D这被认为是造成LED在大电流注入时效率下降的可能原因之一。
以上种种,都说明多量子阱内的极化场阻碍了Ⅲ族氮化物光电子器件的效率提升。若能对Ⅲ族氮化物材料中的极化场加以调控,避短扬长,势必将促进氮化物半导体的发展与应用。利用极化效应改善氮化物半导体器件的性能或开发新型器件己成为一个很有潜力的研究方向。
AlGaN电子阻挡层(Electron blOcking layer,EBL)中存在的极化效应也会导致能带弯曲。在EBL与有源层的最后一个垒的界面处,EBL材料的能带向下弯曲,造成电子泄露。 AF60N03D这被认为是造成LED在大电流注入时效率下降的可能原因之一。
以上种种,都说明多量子阱内的极化场阻碍了Ⅲ族氮化物光电子器件的效率提升。若能对Ⅲ族氮化物材料中的极化场加以调控,避短扬长,势必将促进氮化物半导体的发展与应用。利用极化效应改善氮化物半导体器件的性能或开发新型器件己成为一个很有潜力的研究方向。
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