表1-2给出了LED的MOCVD外延中常用氢化物源的物理参数,其中Ⅳ族的⒏H4一般经氢气稀释后做为n型掺杂源。

   在GaN基LED系列材料的MOCVD生长中,NH3是唯一V族氢化物源。BAS316-NXP因其N―H键能高达弱0,γkJ/mo1,热稳定性高,很难分解。为此G洲及其系列材料(AlN、Im、川GaN、InGεN、A1InGEN)的外延生长温度均需要设置得很高(通常在"0~11OO℃)。同时,为保障有效足量地供应活性N参与GaN系列材料的生长,NH3的流量也必须设置得很大,因此,实际生产中其消耗与成本均很高。如何降低NH3的成本并提高其分解以及利用效率也是目前NH3生产供应技术MOCVD设备技术和外延生长技术必须共同努力来解决的课题。NH3等作为氢化物之所以得到广泛应用是由于在外延层生长时,其热分解后提供主体元素外,在表面上还提供氢基,将来自Mo源的含碳集团除去。因NH3等氢化物都有毒,在实际生产使用中一定要采取预防措施、依照规范安全操作。同时,必须保证工作场所具备良好的通风条件、备有自动报警功能的有毒气体探测器等。

   在AlGaInP的红光LED的MOCVD外延中磷烷和砷烷用作V族源。需要说明的是,这类氢化物源属于危险性气体,遇空气会自燃甚至爆炸,且磷烷和砷烷属剧毒化学品。例如,空气中砷烷浓度达到500ppm时,人暴露在其中1~2分钟内就可致死c因此,在氢化物的使用过程中,必须配备安全监测系统,可探测ppb量级的泄漏,且与系统间有联动互锁功能。