Intd2116芯片是16Κ×1位动态RAM,有16个引脚,16K位应有14条地址信号线,但2116引脚只有7个地址信号引线端A0~A6,既是列地址,又是行地址,ADIS16405BMLZ通过两个控制信号――列地址选通信号CAS和行地址选通信号RAs来区别。2116DRAM的引脚排列如图2.12所示。 Intc12116在工作时,RAS先有效,输入行地址A0~A6,存入芯片内部的行地址锁存器,然后CAS有效,将随之而来的A0~A6为列地址A7~A13存入列地址锁存器。

   2116只要RAs信号有效时,该芯片开始工作,芯片三态

数据输出端只受CAs控制。读操作:当RAs和CAs都为低电平,WE保持高电平时,所选中的存储单元信息送到数据输出总线。写操作:当RAS和CAS都为低电平,而WE保持低电平时,将数据线的信息写入指定单元。

   刷新操作:刷新是按行进行的,要在2ms的时间里对A0~A6的128个地址轮流刷新一遍。刷新操作只需使RAS为低电平,写入行地址,而CAs为高电平(不必读列地址),就可以对行地址所对应的128个存储单元同时进行刷新。为配合刷新,芯片外部还要设计相应的刷新电路。动态RAM的数据线一般只有一条,所以在实用中厂家或商家通常是将8片动态RAM装配在一个RAM条上出售,以简化系统的电路连接。随着微电子技术的发展,新RAM芯片或器件不断推出,像HY57V6416⒛芯片具有4M×16位的存储空间,带有自动刷新电路,这里就不介绍了。