(1)钠、钾、氢等可动离子在一定温度下,受到电场作用可在膜层中移动,从CAP004DG而使在表面感应出的电荷发生变化,结果使表面电势和MOs结构⒍/特性发生变化。可动离子电荷对⒍/特性的影响表现在⒍/曲线的漂移。

  (2)固定氧化物电荷的存在加大了膜层中的电场,这就需要栅电极上有更多的负电荷才能恢复原有的表面电势,也就需要更负的电压来建立原来的表面势,所以⒍/特性曲线将沿电压轴向负电压方向移动。若考虑金属和半导体的功函数差‰s,则单位面积内的固定氧化物电荷的数目为

   (3)界面陷阱电荷位于界面处,能量位于硅禁带中的分立或连续能级,它可以和硅表面快速地交换电荷。固定氧化物电荷使⒍/曲线只发生平移,而界面陷阱除使cˉ/曲线移动外,还会引起曲线形状的畸变。由于界面陷阱中的电荷数量与表面电势吒或吒s相关联,因此界面陷阱电容qt(/)与表面电势有关。界面陷阱电容是一微分电容,它与表面空间电荷层电容相并联。因为它的充放电有一定的频率响应,所以在很高的频率下,界面陷阱上的电荷充放电跟不上信号的变化,则界面陷阱电容qt=0。因此高频⒍/特性不包括qt成分。如果用Clf和咣f分别表示准静态和高频⒍/测量的电容,则: 利用低频和高频曲线的差异,就能测得界面陷阱电容,从而得到界面陷阱的密度。

   (4)氧化物陷阱是由于X射线、γ射线等产生电离的辐射线在膜层中产生电子空穴对,空穴被陷入陷阱,在膜层中形成带正电的空间电荷而引起的。它也会使⒍/特性曲线向负电压方向平移,平移量与陷阱电荷量及辐射时的偏压有关。