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VLSI突出的可靠性问题

发布时间:2016/6/29 21:10:30 访问次数:551

    按等比例缩小原理,器件尺寸缩小庀倍,电源电压减少佬倍,掺杂浓度增加庀倍。HCNR200-500E这一等比例缩小规则已令人满意地使器件沟道长度缩小到90nm,但其中有两个致命的可靠性问题。首先是线电流密度增加庀倍,使电迁移危险增加,其次是栅氧化层中的电场增强。如果器件为保持与现有逻辑兼容而以保持恒定电源电压的等比例缩小,贝刂这些影响将更为严重。电流密度将以缩小因子的三次方增加,电场也将随缩小因子而增加,这使功率密度增加,结温更高。           ・

   表8.6列出了不同厂家器件的失效数据。其中,BT MOs是美国电信部门有关PMOs电路的电话交换机的现场统计,铝金属化腐蚀是主要失效机理;第二、第三列来自美国BELL实验室的商用器件报告;第四列是RCA可靠性分析中心的数据;最后一列是4OO0系列失效分析结果,主要的原因是氧化层和金属化,正好和VLsI的可靠性问题吻合。

    


    按等比例缩小原理,器件尺寸缩小庀倍,电源电压减少佬倍,掺杂浓度增加庀倍。HCNR200-500E这一等比例缩小规则已令人满意地使器件沟道长度缩小到90nm,但其中有两个致命的可靠性问题。首先是线电流密度增加庀倍,使电迁移危险增加,其次是栅氧化层中的电场增强。如果器件为保持与现有逻辑兼容而以保持恒定电源电压的等比例缩小,贝刂这些影响将更为严重。电流密度将以缩小因子的三次方增加,电场也将随缩小因子而增加,这使功率密度增加,结温更高。           ・

   表8.6列出了不同厂家器件的失效数据。其中,BT MOs是美国电信部门有关PMOs电路的电话交换机的现场统计,铝金属化腐蚀是主要失效机理;第二、第三列来自美国BELL实验室的商用器件报告;第四列是RCA可靠性分析中心的数据;最后一列是4OO0系列失效分析结果,主要的原因是氧化层和金属化,正好和VLsI的可靠性问题吻合。

    


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