为了降低系统失配,可以采取如下的版图设计技术:第一类技术称为单元元器件复制技术,ADS1110A0IDBVT是指匹配的两个元器件都由某一个元器件单元的多个复制版本串联或并联构成,这样可以降低工艺偏差和欧姆接触电阻不匹配的影响;二类技术是在元器件周围增加“冗余”(Dummy)单元,这样可以保证周围环境的一致性;第三类技术要求匹配元器件之间的距离尽量接近,摆放方向相同;第四类技术是公用重 心设计法(Common~Ccntro⒙),是指使匹配元器件的“重心”重合,可以减小线性梯度的影响;第五类技术要求匹配元器件与其他元器件保持一定距离,这样可以减小扩散区之间的相互影响。图8.19给出了两个匹配MOS晶体管的版图。

   (a)晶体管方向不同             (b)源漏极的周围环境不同

   (c)增加了冗余单元的晶体管

   图819 匹配MOs晶体管版图