EsD防护是一个系统工程,在设计和制造阶段,可从3个方面着手:一是增加屏蔽和隔离措施,ADM1067ASUZ通过增大接地面积改善电荷泄漏通路等:二是要选择EsD特性好的芯片,不同厂家的同一种芯片性能也会有所不同,在芯片说明书中一般都会提及;三是增设EsD保护电路,抵御外来静电。器件抗静电能力与器件类型、输入端保护结构、版图设计、制造工艺及使用情况有关,应在各个环节采取相应措施。

    MOs电路。最易引起EsD的是输入端。一般输入端都接有电阻一嵌位器件保护网络。限流电阻多为扩散电阻或多晶硅电阻,钳位管可分为一般二极管、栅控二极管和MOS管等,根据情况和使用要求选用。保护网络除了要有快的保护特性和小的动态电阻外,还应具有大的功率承受能力。此外,还要考虑保护网络的引入对电路、版图和工艺等的影响。