(1)突发性失效。使器件ADM1067ASU-REEL7的一个或多个参数突然劣化,完全失去规定功能,通 常表现为开路、短路或电参数严重漂移,如介质击穿、铝条熔断、PN结反向漏电流增大甚至穿通。对于CMOS电路,可因静电放电而触发闩锁效应,器件会因过大电流而烧毁。

   (2)潜在性失效。如带电体的静电势或储存的能量较小,或者EsD回路中有限流电阻存在,一次EsD不足以引起器件发生突然失效,但它会在器件内部造成一些损伤,这种损伤是积累性的。随着EsD数量的增加,器件的损伤阈值(电压或能量)在降低,其性能在逐渐劣化,这类损伤即潜在性损伤,它降低了器件的抗静电能力,因此器件不能进行抗静电筛选。

   (3)静电损伤模型。抗静电能力用静电放电灵敏度(Elcctr0static DisGhargcScnsitivity,EsDS)表示,它采用人体模型进行测量。所谓人体模型(Humall BodyMode1,HBM)是目前广泛采用的一种静电放电损伤模型。人体对地构成静电电容,容量约为100pF,人体内部导电性较好,从手到脚大约有数百欧姆。皮肤表面导电性不好,表面电阻约为10bΩ/cm2,因此人体相当于人体对地电容(Cb)和人体电阻(凡)相串联。当人体与器件接触时,人体所带能量经过器件的引脚,通过器件内部到地而放电,放电时间常数FCb・风。

   美军标准MIL―STD-883H中方法3015.2规定了半导体器件进行ESDs测定的方法与步骤。如果放电波形没有得到严格控制,不同测试设备对同样的样品测出的ESDs存在很宽的分布范围,不能得出正确结论。这是因为测试电路中的寄生参数对高频(100MHz)、高压(kV)有强烈影响,容易出现波形过冲和高频振荡。此外,MOs电路的输入保护电路响应有一个延迟,如果波形上升过快,保护电路不起

作用。根据国军标GJB597A―96,器件的EsDS分成1、2、3三个等级,其抗静电电压分别为⒛00V以下、⒛OOV~39”V及们OOV以上。