温度对NBTI效应的影响。NBTI退化是被热激活的,对温度十分敏感。NBTI退化在更高的温度下更严重。NBTI过程的激活能对可能的反应物质和所使用的氧化方法十分敏感,这种敏感的激活能对温度变化非常敏感,将导致不同NBTI寿命。 OF20SB100D高性能的微处理器和sOC在电路设计中可能有热点,这导致了在芯片上更大的温度梯度。NBTI过程和NBTI漂移的激活能和光刻有关。如果不理解这些问题,在老化和电路工作期间,与时间相关的退化路径可能加速电路失效。由于电路复杂度的提高,这些失效的检测变得非常困难,因此导致了错误的数据或输出条件。

   工艺温度应该被限制小于1100℃,尽管不同的高温工艺温度对氮化栅氧的影响仍然没有报道,但是很明显这些温度或超过这些温度可以在氧化层中导致明显的“非反应性”的可动氢陷阱。这些结果和N20生长的二氧化硅明显减少了高温下生长时的击穿电荷是一致的。和纯氧相比,随着氧化层生长温度达到近似1Os0℃,击穿电荷量也增加。另一个影响NBTI的问题是后金属退火温度和形成气体的退火温度。研究结果表明,金属后退火温度和组成气氛的退火温度应该低于370℃,以改善在窄沟道器件中的NBTI效应和TDDB效应。最近的研究指出,其他的退火诸如硅化物后退火温度可以影响NBTI性能。因此,必须小心优化所有的关键退火温度和工艺中退火

的气氛。