NBTI效应的氧化层电场指数昭(叫p在1.5~3.0之间。激活能(凡)的范围在0.15~0.325cV之间, OF140HC50D并且可以增加一些附加的指数或采用凡±σ凡的分布,当然最终的形式取决于究竟是什么限制了反应动力学和其中参与的物质的不同,可能的反应物包括H20、H+、SⅡ、SN、S⒑、SJ等。如果考虑到与应力时间r的关系,更多的数据表明界面态和固定电荷与应力作用时间有着相同的关系r⒍25。尽管 可能会观察到一些偏差,但这个时间的依赖关系一般在0,2~0.3之间。

   由于NBTI激活能和控制NBTI退化机制的反应动力学的变化,有必要使用可靠性统计模型预测IC性能、成品率和可靠性。随着芯片制造中器件数量和复杂度的增加,这个重要性也不断增加。精确的确定快漂移动器件与慢漂移器件在统计分布偏移中意味着成功的产品。近年的研究还没有充分解决这些问题。