硅化物形成
发布时间:2016/6/18 20:55:07 访问次数:701
为减小多晶硅的电阻以及金属与多晶硅之间的接触电阻,CMOs工艺普遍采用金属硅化物工艺(Salicide)。 OP221GS金属多采用钛(△)或钴(Co)。首先在圆片表面采用溅射的方式沉积一层△或Co,如图4.15所示。随后进行RTA退火,高温下金属和硅发生反应生成硅化物。接着采用湿法腐蚀,去掉未和硅反应的金属而保留硅化物。然后再次进行RTA退火,降低金属硅化物的电阻,如图4,16所示。至此前段工序完成。
为减小多晶硅的电阻以及金属与多晶硅之间的接触电阻,CMOs工艺普遍采用金属硅化物工艺(Salicide)。 OP221GS金属多采用钛(△)或钴(Co)。首先在圆片表面采用溅射的方式沉积一层△或Co,如图4.15所示。随后进行RTA退火,高温下金属和硅发生反应生成硅化物。接着采用湿法腐蚀,去掉未和硅反应的金属而保留硅化物。然后再次进行RTA退火,降低金属硅化物的电阻,如图4,16所示。至此前段工序完成。
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