sTI形成后器件的剖面图
发布时间:2016/6/18 20:44:35 访问次数:846
去掉光刻胶后在1000℃下热生长二氧化硅(称为Rounding oxide)。此OP220GS步骤是为了使得浅槽底部角落处的尖角变得圆滑(尖角易引起击穿电压的降低和产生漏电)。随后采用低压气相沉积S⒑2,在950℃,02和N2氛围下进行致密化处理。接着采用化学机械抛光(Chcmical Mcchanical Plan舶z龃on,CMP)的方法进行平坦化处理,然后去掉s圮N4和s⒑2。最后在900℃下生长so2。此步骤生长s⒑2是为随后的离子注入做注入阻挡层,如图4.4所示。
去掉光刻胶后在1000℃下热生长二氧化硅(称为Rounding oxide)。此OP220GS步骤是为了使得浅槽底部角落处的尖角变得圆滑(尖角易引起击穿电压的降低和产生漏电)。随后采用低压气相沉积S⒑2,在950℃,02和N2氛围下进行致密化处理。接着采用化学机械抛光(Chcmical Mcchanical Plan舶z龃on,CMP)的方法进行平坦化处理,然后去掉s圮N4和s⒑2。最后在900℃下生长so2。此步骤生长s⒑2是为随后的离子注入做注入阻挡层,如图4.4所示。
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