集成电路的成品率要受许多类型缺陷影响,每种类型缺陷对不同电路的影响程度也各有差异。 H-1-4-BNC例如,栅氧化层中的缺陷仅仅出现在晶体管的栅区,由氧化缺陷诱发的堆垛层错缺陷引起PN结漏电流,栅区可能出现,源区和漏区也可能出现。金属互连间的短接,仅在那些具有高密度金属布线的芯片中才极重要。由于成品率跟不同缺陷机理的依赖关系非常强烈,因此应对各种类型的缺陷单独考虑。各种缺陷机理都应按其平均缺陷密度Dn0、缺陷分布的形状因数品和对特定类型缺陷敏感部分的面积'″来表征,采用减品率函数,每种缺陷类型的成品率为:

   当芯片成品率由几种主要缺陷类型决定时,必须单独计算确定。

   对于工艺过程控制良好和成品率高的生产线上加工的成熟产品,所有限制成品率的主要缺陷几乎全都可以控制或消除. 因此,对成熟的高成品率芯片来说,成品率可用指数来表示,而与各类缺陷的形状参数无关。不过,组合缺陷密度D是电路类型和面积'″的函数,根据某一块芯片设计求得的D对另一块芯片设计并不适用。但是,上式表示的成品率却能应用于单一芯片多重成品率实验的研究。在这种情况下,就成熟的高成品率芯片而言,可以预期〃重芯片位格的成品率: