其制作方法是将一定厚度的△,先以磁控DC溅射,沉积在衬底的表面,然后再将衬底置于含N2或NH3的环境中,借高温将这层⒎氮化成TiN。 EL5372IUZ另一种沉积TN方法是反应溅射,金属靶成分是△,利用氮气与氩气所混合的反应气体,经离子轰击而溅射出的△,与等离子内因解离反应形成的氮原子一起,形成TiN并沉积在衬底的表面。通常TN厚度为500~1500A之间。

   △N除了可以作为阻挡层用以外,在钨塞工艺中,还可以用来作为钨回蚀时的刻蚀的中止层。另外,为了防止金属表面的反光对光刻胶曝光的影响,△N还可以用来作为铝层的防反射层。

   Cu的阻挡层金属材料是%、%N。在硅衬底上,采用离化了的金属等离子体物理气相沉积%薄膜。沉积厚度均匀、电阻率可控的薄膜并达到所要求的厚度。择合适的衬底温度、沉积时间、压力以及靶材纯度等,可以得到所要求的TiN/Ti膜或%薄膜的厚度。工艺完成后沉积的厚度应达到规范值。硅片清洗、TN/Ti%薄膜沉积以及薄膜检测等组成薄膜沉积的基本工艺。