若只是简单地将金属和半导体连接在一起,接触区就会出现整流效应,这种附加的单向导电性, HCF4053使得晶体管或集成电路不能正常工作。要使接触区不存在整流效应,就要形成欧姆接触。良好的欧姆接触应满足以下条件:电压与电流之间具有线性的对称关系;接触 电阻尽可能低,不产生明显的附加阻抗;有一定的机械强度,能承受冲击、震动等外力的作用。

   形成欧姆接触的方法有3种,分别是半导体高掺杂的欧姆接触、低势垒高度的欧姆接触和高复合中心欧姆接触。

   半导体高掺杂的欧姆接触。在器件制造中常使用半导体高掺杂接触方法。由于隧穿几率与势垒高度密切相关,而势垒高度又取决于半导体表面层的掺杂浓度,势垒越窄,隧穿效应越明显,而势垒的宽度取决于半导体的掺杂浓度,掺杂浓度越高,势垒越窄。因此,只要控制好半导体的掺杂浓度,就可以得到良好的欧姆接触。当掺杂浓度较高,通常大于1019个/cm3时,半导体表面的势垒高度很小,载流子可以隧穿过势垒,从而形成欧姆接触。该方式的接触电阻随掺杂浓度的变化而变化。