为了达到对衬底上陡峭台阶的良好覆盖,采用玻璃体进行平坦化是一步重要工艺。 AD7892BNZ-2在沉积磷硅玻璃的反应气体中掺入硼源(砀H6),可以形成三元氧化薄膜系统(勒α-P205ˉS02),也就是硼磷硅玻璃(BPsG),从而可以获得在850℃下的玻璃回流平坦化,这个温度比PsG回流需要的温度(10OO~1100℃)要低,从而降低了浅结中的杂质扩散。BPsG薄膜广泛地用在金属沉积之前,使金属层与其下面的多硅之间绝缘,在DRAM中电容的介质以及金属之间的绝缘层。有文献报道,使用TEOS03沉积形成的BPSG薄膜有更低的玻璃回流平坦化温度(750℃)。

    BPsG的流动性取决于薄膜的组分、工艺温度、时间以及环境气氛。实验表明,在BPSG中硼的浓度增大1%,所需回流温度降低大约硐℃。在LPCVD系统中回流所需温度与BPsG中掺杂浓度有关。然而,当磷的浓度达到5%之后,即使再增加磷的浓度也不会降低BPsG回流所需温度。此外,硼的掺杂浓度上限也受到薄膜稳定性的影响。当BPsG薄膜中硼的含量超过5%时,将发生结晶,形成硼酸

根B203及磷酸根P205的晶粒沉淀,BPSG就很容易吸潮,并且变得非常不稳定,还会导致在回流过程中生成难溶性的BPo4。形成的酸根晶粒会使玻璃体产生凹陷,并且降低掺杂浓度,从而影响玻璃体的回流特性,回流过程中生成的BP%成为玻璃体中的缺陷。

   BPSG除了具有回流平坦化所需温度较低的优点以外,同时还可以吸收碱性离子,薄膜的张力小。但是,BPSG中的杂质会向硅衬底中扩散,其中主要是磷的扩散,而且在硼的浓度比较大的时候,磷的扩散更为明显。BPsG膜中,B的掺入能降低回流温度,P能起到抗碱离子的作用。通常BPSG膜中,B、P含量约为4%,回流温度在gOo~950℃,比PsG膜的低150~300℃。P含量的降低对减轻Al的腐蚀、改善台阶陡度有利。