氮化硅由于有以下特性使其很适合作为钝化层:

   (1)对扩散来说,它具有AD7892ARZ-3REEL非常强的掩蔽能力,对碱金属离子的防堵能力也很好,且不易被水气分子所渗透;

   (2)采用LPCVD和PECVD法均可制作;

   (3)可以对底层金属实现保形覆盖;

   (4)薄膜中的针孔很少。

  作为选择氧化的掩蔽层时,可以把氮化硅直接沉积到硅衬底的表面上,有时考虑到氮化硅与硅直接接触产生应力,形成界面态,往往在硅表面上先沉积一层s⒑2作为缓冲层,然后再沉积一层作为掩蔽层的氮化硅。通过光刻形成图形,再进行热氧化。在硅氧化的同时氮化硅本身也会发生缓慢的氧化反应,因氮化硅氧化速度非常慢,只要氮化硅具有一定的厚度,它将保护下面的硅不被氧化,只有暴露的硅表面才能生长一层s⒑2。在氧化完成之后,氮化硅被除去。LOCOs工艺就是基于以上操作过程。