过去认为栅氧的TDDB主要足Na+等沾污引起的，经过不断努力，采用各种有效防止Na+沾污的措施， RK73B1ETTP512J现已做到基本上无N ai-沾污（MOS电容经温度一偏压的B-T处理后，可动电荷在1×1010个lcn12以下，处理前后C-V曲线已无移动），以及采用二步（三步）HC1氧化法，使Si-Si0：界面处，从微观上平整无凹凸接触，以减少界面处场强。这种栅氧的击穿场强基本上在lOMV／cm以上，但仍发生TDDB，所以栅氧的TDDB是VI)SI中的一个重要的可靠性问题。

   氧化层的击穿机理（过程），目前认为可分为两个阶段。第一阶段是建立（磨损）阶段，在电应力作用下，氧化层内部及Si-Si0。界面处发生缺陷（陷阱、电荷）的积累，积累的缺陷（陷阱、电荷）达到某一程度后，使局部区域的电场（或缺陷数）达到某一临界值，转入第二阶段，在热、电正反馈作用下，迅速使氧化层击穿。栅氧寿命由第一阶段中的建立时间所决定。

   对电应力下氧化层中及界面处产生的缺陷，一般多认为是电荷引起的，对电荷的性质，有两种看法。

   第一种看法认为：Si0：的导电机理是电子从阴极注入，注入电子以F-N( FowlerNordheim)隧穿电流出现，而不是空穴从阳极注入，因为与空穴有关的势垒高度和有效质量都较大。