与时间有关的介质击穿(Time Dependent Dielectric Breakdown，TDDB)是指施加的电场低于栅氧的本征击穿场强，并未引起本征击穿，RK3066但经历～定时间后仍发生了击穿。这是由于在施加电应力的过程中，氧化层内产生并积聚了缺陷的缘故。

   栅氧的瞬时击穿可通过筛选、老化等方法剔除，所以TDDB是本节讨论的中心。

   在氧化层较厚时，栅极材料采用铝。这时栅氧击穿有两种形式。由于铝的熔点低，且层很薄，栅氧某处击穿时，生成的热量将击穿处铝层蒸发掉，使有缺陷的击穿处与其他完好的Si02层隔离开来，这叫自愈式击穿。

  另一种是12坏。陛击穿'铝彻底侵入氧化层，使氧化层的绝缘作用完全丧失。栅氧较薄时，用自对准工艺，栅电极采用多晶硅材料制作。

   栅氧的击穿与硅中杂质、氧化工艺、栅极材料、施加电场大小及极性等因素有关，其击穿百分比与击穿时施加场强的关系。击穿的情况可分为A、B、C三个区或模式。A区一般场强在lMV／cm以下，它是由于栅氧中存在针孔BD/mV/cni 

引起的。