减少氧化层电荷的措施包括以下几种。

   1)对Qm，在生产工艺中，RF3159TR13可采取各种防Na+沾污的措施，如保证容器（改用石英制）、工具和氧化炉管的清洁，热氧化的气氛中加有适量HC1或氯气，对氧化层表面加一层磷硅玻璃钝化层，以固定残存Na+并防止外界侵入的二次沾污，目前工艺已可使氧化层中Q。的含量在1×1010个／CITl2以下，即目前好的C-V测试仪温度一偏压试验测不出可动电荷密度。

   2)对硅材料选用的晶格方向是100，使Qf殁Q，．最小。

   3)氧化层生长后进行适当高温退火处理，以降低Qf及Qit

   4)在低频低噪声工艺中，适当腐蚀发射区表面，降低基区表面掺杂浓度，以及采用减少应变或热感生缺陷的工艺，可降低Qi。，从而降低低频(l/f)噪声。

   5)对半导体表面进行等离子体刻蚀处理，降低界面态。