界面陷阱电荷(Interface Trap Charge)Q

    Q，也叫快表面态或界面态，起源于Si-Si0：界面的结构缺陷、氧化感生缺陷，以及金RF2046属杂质和辐射等因素引起的其他缺陷。如Si-Si0。界面的硅原子处，由于硅原子在S102方向上的晶格结构整齐排列的中断，从而产生的所谓悬挂键，就是一种结构缺陷。这种结构缺陷可接受空穴或电子而带一定的电荷，此即界面陷阱电荷。接受电荷即悬挂键与硅表面交换电子或空穴，从而调制了硅表面势，造成器件参数昀不稳定性。此外，这种界面陷阱尚可同时俘获一个电子或一个空穴而起复合中心的作用，这导致器件表面漏电，l/f噪声增加和电流增益（跨导）降低。

   氧化层陷阱电荷(Oxide Trap Charge)Q。。

   Q可以是正电荷，也可以是负电荷，这取决于氧化层陷阱中俘获的是空穴还是电子，而这些被俘获的载流子来自X射线、7射线或电子束在氧化层中引起的辐射电离，以及沟道内或衬底的热载流子的注入。

   以上4种电荷，除了在硅热氧化等生产工艺过程中形成的之外，在随后器件工作时也会不断产生。如Na+等离子沾污，可从外界环境中通过扩散进入氧化层中。沟道或衬底中的热载流子可越过Si-Si0。壁垒进入氧化层中，在Si与S102的过渡区内如能打断Si-H、

Si-OH键或者形成其他缺陷，即产生外加热、应力条件下产生Q．。及Q。。的情况，可从MOS电容样品的高频C-V曲线上得知。而电荷汞技术的采用，更是研究氧化层内电荷变化特别是Q．，分布的一个有力工具。