具体击穿过程一般认为是一个热、电过程AD623AR。隧穿电流与阴极场强有关。这涉及Si-Si02（或Al- Si0：）界面不可能绝对平整，微观上可能存在一些突起，使局部电场增强，也可能氧化层中某处存在一些杂质或缺陷，使界面势垒高度降低，这都使该薄弱处首先产生隧道电子流。在外场作用下，电流呈丝状形式漂移穿过Si0：膜，这种丝状电流直径仅数纳米，电流密度很大，而Si0。的热导率裉低(300K时约为0.OIW／(cm．℃))，局部地区产生很大的焦耳热使温度升高，温升又促进F-N电流增加，这样相互促进的正反馈作用，最终形成局部高温，如不能及时控制电流的增长，可使铝膜、Si02膜和硅熔融，发生烧毁性击穿。

   当前，对栅氧击穿主要是由负电荷的电子或正电荷的空穴起主要作用的问题，尚无明确结论，文献报道中说明是正电荷空穴积累得很多。但也不能否定电子的作用，所以可能两者都起作用，只是何种（可能是空穴）为主的问题。