把上表中的对应点画在曲线族上，就会连接出一条最大功耗线。这条线ADM1066ACPZ的右边称为集电极最大允许耗散功率限制区，晶体管的工作不允许进入这个区域，以免过热而损坏。

   对于大功率晶体管，如果外加散热片使散热面积增大或强制冷却，都可以大大提高PCM的值，使最大功耗线向右上方移动。

   安全工作区。由截止区、饱和区、最大允许集电极电流ICM限制区、击穿区和集电极最大允许耗散功率PCM限制区所围成的内部区域称为安全工作区，也称放大区。在此区内由

于Uce对J。的影响较小，每条特性曲线在此区内较平坦。在此区内j。增加一个数量(如20)uA)，特性曲线向上移动一条，显示了Ib对j。有控制作用。共发射极连接的晶体管，只要它的J。值与U。。值不超出这个区域，就能得到期望的放大作用。所以，利用安全工作区就能直观而确切地选定I作点和放大范围。

   场效应晶体管特性曲线

   同晶体管一样，场效应管也可用特性曲线来描述性能和工作状态，最常用的是漏极特性曲线和转移特性曲线。

   漏极特性曲线。场效应管的漏极特性曲线如图3- 36 (a)所示，它表示在一定的栅偏压U（焉时，I和UrB的关系。同晶体管输出特性曲线一样，也可将漏极特性曲线分成三个工作区：I区为可变电阻区，或叫沟道欧姆区，在这个区中，沟道特与电阻类似。因为rDS -AUDS/AID，当Ucs =OV时，b随Urs增长较陕，而当外加栅偏压增加时，ID随UL6增长就较慢，所以它的阻值受栅偏压所控制；Ⅱ区为饱和区，在这个区中，UL6增大时，b几乎不再增大，维持

某—饱和值，ID随栅压Us或线性变化。这是场效应管的工作区，与晶体管的放大区相似，可以获得较高的增益和良好的恒流特陛；Ⅲ区为击穿区，这时ID急剧增大，以致管子损坏。