电压放大器
发布时间:2016/2/1 20:50:49 访问次数:1836
图8.5(b)是电压放大器lC变换电路，硅光电二极管的正端接在运算放大器的正端，GFD50N03运算放大器的漏电流比光电流小得多，具有很高的输入阻抗。当负载电阻RL取1 MQ以上时，运行于硅光电池状态下的硅光电二极管处于接近开路状态，可以得到与开路电压成正比的输出信号.
阻抗变换型
反向偏置硅光电二极管或PrN硅光电二极管具有恒流源性质，内阻很大，且饱和光电流与输入光照度成正比，在很高的负载电阻情况下可以得到较大的信号电压，但如果将这种处于反偏状态下的硅光电二极管直接接到实际昀负载电阻上，则会因阻抗的失配而削弱信号的幅度，因此需要有阻抗变换器将高阻抗的电流源变换成低阻抗的电压源，然后再与负载相连。图8.5(c)所示的以场效应管为前级的运算放大器就是这样的阻抗变换器，该电路中场效应管具有很高的输入阻抗，光电流是通过反馈电阻R形成压降的.
另一方面也可计算出硅光电二极管直接与负载电阻相连时，负载上的功率等于/p2 RL。比较以上两种情况可见，采用阻抗变器可以使功率输出提高(Rf／RL)2倍。例如，当RL =1MQ，墨=10 MQ时，功率提高100倍。这种电路的时间特性较差，但用在信号带宽没有特殊要求的缓变光信号检测中，可以得到很高的功率放大倍数。此外，用场效应管代替双极性晶体管作为前置级，其偏置电流很小，因此适用于光功率很小的场合。
图8.5(b)是电压放大器lC变换电路，硅光电二极管的正端接在运算放大器的正端，GFD50N03运算放大器的漏电流比光电流小得多，具有很高的输入阻抗。当负载电阻RL取1 MQ以上时，运行于硅光电池状态下的硅光电二极管处于接近开路状态，可以得到与开路电压成正比的输出信号.
阻抗变换型
反向偏置硅光电二极管或PrN硅光电二极管具有恒流源性质，内阻很大，且饱和光电流与输入光照度成正比，在很高的负载电阻情况下可以得到较大的信号电压，但如果将这种处于反偏状态下的硅光电二极管直接接到实际昀负载电阻上，则会因阻抗的失配而削弱信号的幅度，因此需要有阻抗变换器将高阻抗的电流源变换成低阻抗的电压源，然后再与负载相连。图8.5(c)所示的以场效应管为前级的运算放大器就是这样的阻抗变换器，该电路中场效应管具有很高的输入阻抗，光电流是通过反馈电阻R形成压降的.
另一方面也可计算出硅光电二极管直接与负载电阻相连时，负载上的功率等于/p2 RL。比较以上两种情况可见，采用阻抗变器可以使功率输出提高(Rf／RL)2倍。例如，当RL =1MQ，墨=10 MQ时，功率提高100倍。这种电路的时间特性较差，但用在信号带宽没有特殊要求的缓变光信号检测中，可以得到很高的功率放大倍数。此外，用场效应管代替双极性晶体管作为前置级，其偏置电流很小，因此适用于光功率很小的场合。
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