目前，CMOS型固体摄像器件还存在以下几个问题；

    ①当行、列均增加像元数时，垂直传MAX430EPA+输各光敏二极管信号的布线电容随MOS漏数目的增加而增大，进而读出各列光敏二极管的有效扫描时间变短。当水平扫描时，在传输电容上会产生残读信号，使垂直分辨率降低：

   ②PN结区对不同波长的响应灵敏度不同，难以满足三原色信号灵敏度平衡的要求，会产生偏色现象。

   ③由于光敏二极管的充电电压不会超过电源电压，当为了扩大动态范围，提高电源电时，在水平扫描的MOS栅上需要加上比电源电压高出VT（MOS阈值电压）的较大的扫描脉冲。因此，通过栅漏间的寄生电容，在视频信号中将混入扫描脉冲的尖峰噪声。

   ④读出各光敏二极管的视频信号时，由于各漏极的暗电流不均匀等原因，容易产生固定图像噪声(Fixed-Pattern Noise，FPN)。对于这些问题，除要采用高跨导、低栅电容的负反馈放大器外，主要采用消噪声电路来获得改善，如图7.45所示。

   图7.45 (a)表示一个像元与水平扫描电路的一个单元的等效电路。其中，Cv为场信号传输线的电容，CH为行信号传输线的电容，CG力MOS开关的驱动脉冲电容，CGD是行MOS开关驱动脉冲与偏置间的电容。