CMOS图像传感器的光电转换原理与CCD基本相同、其光敏单元受到光照后产生光生电子。MAX4305ESA而信号的读出方法却与CCD不同，每个CMOS源像素传感元都有自己的缓冲放大器，而且可以被单独选址和读出。

   CMOS图像传感器像敏元结构主要有光敏二极管型无源像素结构、光敏二极管型有源像素结构和光栅型有源像素结构。

   光敏二极管无源像素结构(Passive Pixel Sensor，PPS)

   如图7.42(a)所示，PPS结构由L个反向偏置的光敏二极管和一个开关管构成。当开关管开启，光敏二极管与垂直的列线连通。位于列线末端的电荷积分放大器读出电路保持列线电压为一常数，并减小噪声。当光敏二极管存储的信号电荷被读取时，其电压被复位到列线电压水平。与此同时，与光信号成正比的电荷由电荷积分放大器转换为电压输出。PPS结构的像素可以设计成很小的像元尺寸。它的结构简单、填充系数高（有效光敏面积和单元面积

之比）。由于填充系数大及没有覆盖一层类似于在CCD中的硅栅层（多晶硅叠层），因此量子效率（积累电子与入射光子的比率）很高。

   PPS结构有个致命的弱点，即由于传输线电容较大面使读出噪声很高，主要是固定噪声(FPN)，一般为250个方均根，而商业型CCD的读出噪声可低于20个方均根。而且PPS不利于向大型阵列发展，很难超过1000X1000，不能有较快的豫素读出率，这是因为这两种情况都会增加线容，若要更快地读出就会导致更高的读出噪声。