CCD的电荷储存容量表示在电极F的势阱中能容纳的电荷量。由于CCD是电荷储存与转移的器件，FGH40N60SMDF因此电荷储存容量等于时钟脉冲变换幅值电压AV与氧化层电容Co。（忽略耗尽层电容Cd，因为Co。≈lOCd）的乘积.A矿为时钟脉冲变换幅值；Co。为Si02层的电容；彳为栅极面积。

   如果Si02氧化层的厚度为d，则每个电极下的势阱中，最大电荷储存容量.若设电极下氧化层厚度d=1500A，而AV=10V，气=3.9，岛=8.85 xl0之pF/cm，q-1.6xl019 C，彳-1 cn12，将以上各值带入式(7.29)，计算得Nmax=7xl06，这足以容纳1000 lx的光照2 ns所产生的载流子。

   提高时钟脉冲的幅值或减小d值，均可以增大电荷储存量。但这两个条件都受到Si02击穿电场强度的限制，通常电场强度Emax=5～10x10io V.cm-1，对体内沟道CCD在相同电极尺寸和相同时钟脉冲变化幅值下，当N沟道厚度为1“m时，其最大电荷储存容量为表面沟道CCD的50%。