硅光电二极管通常用于反偏的光电导工作模式，这里简略叙述如下。

   硅光电二极管在无光照条件下，若PN结加一个适当的反向电压， HD74AC138FPEL则反向电压加强了内建电场，使PN结空间电荷区拉宽，势垒增大，流过PN结的电流（称反向饱和电流或暗电流）很小，反向饱和电流是由少数载流子的漂移运动形成的。

   当硅光电二极管被光照时，若满足条件hv≥Eg，则在结区产生的光生载流子将被内建电场拉开，光生电子被拉向N区，光生空穴被拉向P区，于是在外加电场的作用下形成了以少数载流子漂移运动为主的光电流。显然，光电流比无光照时的反向饱和电流大得多，光照越强，表示在同样的条件下产生的光生载流子越多，光电流越大；反之，则光电沆越小。

   当硅光电二极管与负载电阻RL串联时，则在RL的两端，便可得到随光照度变化的电压信号，从而完成光信号到电信号的转换，如图5.18所示。

   硅光电二极管与光电池一样，根据其衬底材料的不同可分为2DU型和2CU型。