硅光电二极管在结构和工作原理上与硅光电池也相似。如果应用于光伏T作模式，其HD74AC08TELL机理与光电池基本相同，属于PN结型光生伏特效应。但是与光电池比较，略有不同： ①就制作衬底材料的掺杂浓度而言，光电池较高，约为l016～l0'9原子数／cm3，而硅光电二极管掺杂浓度约为l012～l013原子数／cm3；②光电池的电阻率低，约为0.1～0.01 Q/cm，而硅光电二极管则为1000 Q/cm;③光电池在零偏置下工作，而硅光电二极管通常在反向偏置下工作；④一般来说，光电池的光敏面面积都比硅光电二极管光敏面大得多，因此硅光电二极管的光电流小得多，通常在微安级。

   硅光电二极管通常用于反偏的光电导工作模式，这里简略叙述如下。

   硅光电二极管在无光照条件下，若PN结加一个适当的反向电压，则反向电压加强了内建电场，使PN结空间电荷区拉宽，势垒增大，流过PN结的电流（称反向饱和电流或暗电流）很小，反向饱和电流是由少数载流子的漂移运动形成的。