由伏安特性可以看到，对于较GL2574A-ASF8R小的入射光通量，开路电压输出变化较大，这对弱光信号的检测特别有利，但光电池开路电压与入射光功率呈非线性关系，同时受温度影响大，其频率特性也不理想，如果希望得到大的电压输出，则不如采用光电二极管或光电三极管。

   若用硅光电池检测交流光信号，可采用图5.16 (a)所示的交流变换等效电路。图中风为静态条件下的负载电阻与结电容C的并联，RL为后级光电信号放大器的等效输入阻抗。

   为了分析方便，设入射光照度为正弦脉动形式，即E= Eo+Em sin cot，则光信号照度以岛为平均值在最大值岛+ Em和最小值Eo- Em之间脉动。

   设Rm为Eo+ Ern光照度下的最佳负载电阻，由于硅光电池作为线性检测或变换，故硅光电池的工作状态必须选择在光电流线性工作区，即图5.15(b)中的I和III区域，这时要求

   R／／RL< Rm

   所以工作情况同样也可以分为电流输出和电压输出状态。

   在电流输出状态，要求墨<风，以使负载RL上能得到更大的电流输出，同肘又能获得更好的线性和频率特性。如果需放大光信号，则放大器应选用输入阻抗（与负载RL等效）低的电流放大器。