光伏特探测器是基于内光电效应的器件，最典型的光伏特探测器是光电池、光电G1117T43UF二极管和光电三极管，本章主要介绍这三个光伏特探测器的主要特性、使用要点、常用电路及选型依据。

   学习目标

   ●了解光电池的主要特性、使用要点、常用电路及选型依据；

   ●了解光电二极管和光电三极管的主要特性、使用要点、常用电路及选型依据。

   与光电导效应不同，光伏特效应具有由内建电场形成的内部势垒，将光照产生的电子和空穴分开，从而在势垒两侧形成电荷堆积，形成光生电动势。所以，如果说光电导现象是半导体材料的体效应，那么光伏特现象则是半导体材料的结效应。这个内部势垒可以是不同类型的半导体(N型或P型)接触形成的PN结、P-I-N结，金属和半导体接触形成的肖特基势垒，以及由不同半导体材料构成的PN异质结势垒等。这里，我们主要讨论PN结的光伏特效应，它不仅最简单，而且是应用最多、最重要的光伏特效应。