20世纪80年代中期以前，变频装置功率回路主要采用第1代电力电子器件，以晶闸管ADS1110A1IDBVT为主，这种装置的效率、可靠性、成本、体积均无法与同容量的直流调速装置相比。80年代中期以后采用第2伐电力电子器件如GTR、GTO、VDMOS&IGBT等制造的变频装置在性价比上可以与直流调速装置相媲美。随着向大电流、高电压、高频化、集成化、模块化方向继续发展，第3代电力电子器件是20世纪90年代制造变频装置的主流产品，中小功率的变频调速装置(1~ lOOOkW)主要采用IGBT，大功率的变频调速装置(100~lOOOOkW)采用GTO。20世纪90年代末，电力电子器件的发展进入了第4代，如高压IGBT、IGCT、IEGT、SGCT、智能功率模块(IPM)等。

   变频器的逆变器普遍采用大功率场效应晶体管( MOSET)、功率晶体管(GTR)、门极关断( GTO)晶闸管等的自关断器件，其中GTR应用最为普遍。但是在调制策略发展和要求逆变器输出谐波分量更小的情况下，必须提高开关频率，为此，GTR满足不了这个要求，于是开发出了一种新器件-IGBT。IGBT的全称是绝缘栅双极型晶体管，是一种把MOSET与GTR巧妙结合在一起的电压型双极/MOS复合器件，IGBT具有输入阻抗高、开关速度快、元器件损耗小、驱动电路简单、驱动功率小、极限温度高、热阻小、饱和压降和电阻低、电流容量大、抗浪涌能力强、安全区宽、并联容易、稳定可靠及模块化等一系列优点，是一种极理想的开关器件。目前，2400A电流、3300V电压、40kHz开关频率的IGBT已在小、中、大功率蒗围内使用。IGBT不仅用于500V以下低压变频器，还可以用于1000V以上高压变频器以驱动高压电动机。此类中压、高压变频器采用多电平逆变器输出高压，也可用变压器降压一低压变频器一变压器升压的方式。由于IGBT具有性能较好的优势，预计近十年内不会被新开发的器件所取代。