IGBT的特点是什么?
发布时间:2015/11/21 20:20:34 访问次数:2931
变频器中使用的绝缘栅双极型晶体管主体部分的工作特点是什么?
答:绝缘栅双极型晶GS1524A体管由于和电力晶体管GTR相同,额定电压与电流容易做得较大,故在中小容量的变频器中,IGBT已经完全取代了GTR晶体管。总而言之,IGBT是一种用极小的控制功率来控制大功率电路的器件,非常适用于在变频器中的大功率驱动电路中使用。
IGBT的特点是什么?
答:绝缘栅双极型晶体管的主要特点有以下几方面。
(1)输入阻抗高。绝缘栅双极晶体管输入阻抗高,栅极驱动功率极小,驱动电路也简单。
(2)电流密度大。绝缘栅双极晶体管芯片面积比MOSFET小一半多,电流容量比同样耐压的MOSFET大两倍以上。
(3)饱和压降低。
(4)安全工作区范围大。绝缘栅双极晶体管工作电压和工作电流范围大,击穿电压高,耐短路时间达lO_us,在较高的瞬态功率下不会受损坏。
(5)开关速度快。绝缘栅双极晶体管IGBT的开关下降时间小于lOOns,最高开关频率达150kHz以上,与MOSFET相当,即使在200kHz的开关下,也能稳定工作。
(6)热阻小,散热能力和耐高温能力强。
变频器中使用的绝缘栅双极型晶体管主体部分的工作特点是什么?
答:绝缘栅双极型晶GS1524A体管由于和电力晶体管GTR相同,额定电压与电流容易做得较大,故在中小容量的变频器中,IGBT已经完全取代了GTR晶体管。总而言之,IGBT是一种用极小的控制功率来控制大功率电路的器件,非常适用于在变频器中的大功率驱动电路中使用。
IGBT的特点是什么?
答:绝缘栅双极型晶体管的主要特点有以下几方面。
(1)输入阻抗高。绝缘栅双极晶体管输入阻抗高,栅极驱动功率极小,驱动电路也简单。
(2)电流密度大。绝缘栅双极晶体管芯片面积比MOSFET小一半多,电流容量比同样耐压的MOSFET大两倍以上。
(3)饱和压降低。
(4)安全工作区范围大。绝缘栅双极晶体管工作电压和工作电流范围大,击穿电压高,耐短路时间达lO_us,在较高的瞬态功率下不会受损坏。
(5)开关速度快。绝缘栅双极晶体管IGBT的开关下降时间小于lOOns,最高开关频率达150kHz以上,与MOSFET相当,即使在200kHz的开关下,也能稳定工作。
(6)热阻小,散热能力和耐高温能力强。
上一篇:IGBT的种类有哪些?