IGBT与MOSFET相比有哪些优点？

   答：MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。 GS1006FL主要优点：热稳定性好、安全工作区大。但其主要缺点：击穿电压低，工作电流小。

   IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是MOSFET和GTR（功率晶管）相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。优点：击穿电压可达1200V，集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz。

   变频器中使用的绝缘栅双极型晶体管的结枸特点是什么？

   答：绝缘栅双极型晶体管简称IGBT，是场效应晶体管MOSFET和电力晶体管GTR组合在一起而形成的，它的主体部分与GTR相同，也有集电极(C)和发射极(E)，而控制极的结构与MOSFET相同，为绝缘栅结构，也叫作栅极(G)，如图2- 17所示。