什么是金属氧化物场效应管（MOSFET）?特点是什么t

   答：MOSFET是一种GP2021单极型的电压控制器件。现用N沟道GP2021的模拟结构来说明工作原理，在栅极(G)电压为零时，器件的漏极(D)与源极(S)之间的PN结为反偏状态，MOSFET处于截止状态。如果在栅极加上正向电压，同时漏极与源极之间也存在正向电压，栅极下面则开始形成耗尽区并出现负屯荷，硅层表面由P型反型成为N型。此时电子从源极向漏极移动形成电流，器件导通。这个反型层被称为沟道。根据沟道的不同，MOSFET可以分为N沟道和P沟道。

   MOSFET由于是电压控制型器件，驱动功率小，使用方便，开关频率很高（达到几十千赫兹至几百千赫兹），因而广泛应用于高频开关电源及小容量电力变流装置中。

   什么是绝缘栅双极型晶体管(IGBT)?

   答：随着电力电子变换技术的发展，使得各种各样的电力电子器件得到了迅速发展。

   20世纪80年代，为了给高电压应用环境提供一种高输入阻抗的器件，有人提出了绝缘栅双极型晶体管IGBT。IGBT是由BJTBJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GT的低导通压降两方面的优点。从等效电路可以看出，IGBT是以BJT为主导元件，MOSFET为红色电动元件的达林顿结构器件。GTR饱和压降低，载流密度小，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，它用一个MOS门极区来控制宽基区的高电压双极型晶体管的电流传输，这就严生了一种具有功率MOSFET的高输入阻抗与双极型器件优越通态特性相结合的器件，驱动功率小，开关速度快，电流处理能力大和饱和压降低，非常适合广应用于直流电压为600V及以上的变流系统领域。IGBT由于性能优良，已全面取代了功率晶体管而成为中小容量电力变流装置中的主力器件，在中小功率、低噪声和高性能的电源、逆变器、不间断电源( UPS)和交流电动机调速系统的设计中得到广泛应用。同时IGBT的单管容量也不断提高，并开始进入中大容量电力变流装置中。目前IGBT单管容量已达到400A／1700V。