氧化硅刻蚀( oxide etching)：使用氢氟酸(HF)来进行二氧化硅刻蚀的1：艺。通常人DM74ALS14MX们使用缓冲二氧化硅腐蚀( BOFl)，因为必须对HF进行缓冲以使化学反应减速到可以很好控制的程度。封装体( package)：包裹半导体芯片以保护芯片并提供连接外部电路管心的包装或管壳。封装良品率( packaging  yield)：从封装后经过电测仍然工作的芯片个数与进入封装过程的合格半导体芯片个数的比值.钝化层( passivation)：在芯片制造工艺中的最后一层密封保护层，它可以阻止外界化学反应、腐蚀和封装过程申的处理对芯片产生的影响。钝化层通常是用二氧化硅或者氮化硅，以防止潮气或沾污。

   图形化工艺【patterning）：将图案从光刻掩模版七转移到晶圆上，从而定义要刻蚀或掺杂区 域的工艺，常特指光刻工艺。、保护膜( pellicle)：一种光学级的聚合物薄膜，它被绷在一个框架上并固定在掩模版或放大掩模版上。这就解决r窄气中污染物在掩模版上积累并形成类似不透明点的问题。在曝光中，任何污染物都被保持在焦平面之外，而不被“打印”到晶圆上。

   磷烷( phosphine)：一种气体，在掺杂工艺中常被用做磷的源。 磷( phosphorus)：通常用在标准双极集成电路工艺中作为集电极和发射极的Ⅳ型掺杂剂。三氯氧磷[ phosphorus oxychloride( POCb)]：一种液体，经常被用在掺杂硅的生产中，用来提供掺杂的磷。