3D封装(3D package)：在一个FMS6143CSX封装体内堆叠和连接丽个以七芯片。

   川-V族半导体材料(…-V semiconductor material)：由元素周期表的第III和第V族元素组成的半导体材料.

   II-VI族半导体材料(II-VI semiconductor material)：由元素周期表的第1I和第VI族元素组成的半导体材料。

受主( acceptor)：一种半导体材料中的杂质。接受价带电子，从而在价带中留下“空穴”的行为就像JE电性的载流子，亦称P型载流子。空气传播的分子污染( airborne molecular contamination)：在净化间空气中存在的空气传播的分f污染光刻机（对准和曝光）[ aligner( align and expose)]：-种工艺设备，用来将晶圆和掩模版或放大掩模版对准，并使光刻胶在紫外线或其他辐射源下曝光。

对准( alignment)：参见掩模版或放大掩模版相对于晶圆的定位。

对准标记( alignment mark)：在晶圆和掩模版七用来正确对准的目标合金( alloy)：(1)两种金属的合成物；(2)在半导体工艺中，合金化步骤引起半导体材料和在其f：的材料的柏互扩散，形成两者间的欧姆接触。铝(Al)：半导体工艺中使用最多的金属。用来形成芯片E的各器件之间的连接。可以通过蒸发或溅射I：艺制备．非晶体( amorphous)：原子旱无序排列的材料，如塑料。

放大光刻胶( amplified resist)：用增加化学品增强化学反应的光刻胶。

   埃(A)：长度单位，l埃等于l¨m的万分之-(10。4¨m)，或100 000 000 A=i cm。各向异性( anistropic)：刻蚀的一种工艺，不会或很少造成钻蚀。退火( anneal)：-种高温I：艺过程（通常是最后一步）。用来将晶圆晶格结构中的应力降至最低，、锑(Sb)：元素周期表中第V族元素。在硅中是N型掺杂，经常作为掩埋层的掺杂物。防反射涂层(ARC)：在曝光过程中为r减少反射，在晶圆表面增加的一层化学涂层。砷(As)：元素周期表中第v族元素．、是硅中的N型掺杂物。封装( assembly)：芯片制造后的一系列工序。、将晶圆分割成单个的芯片，并安放和连接到一 个封装体上J。