本书中涉及了分立式器件及集成电路的多种特性。有些特性是由封装设计和封装'I-艺直接衍生出来的（见图18.3）。芯片的密度（集成度）决定了所需外部连接点的数目，TMS320DM365ZCE30集成度越高的芯片其表面积越大，外部连接点也越多。芯片越做越大的趋势必然导致对更大直径晶圆的需求。这些因素改变了划片工艺、封装设计和对晶圆减薄的需求。

   在前一章中捉到的芯片器件（三极管、二极管、电容器、电阻器和熔断丝）的功能呵因各种各样的污染而改变。最主要的污染是化学污染，如钠和氯。另外，其他化学品可以攻击芯片内的不同层次，还有环境因素，如微粒、湿度和静电可以毁坏芯片或改变其性能。其他方面的考虑还有光和辐射粒子对芯片表面轰击的影响。有些芯片对光和辐射粒子极其敏感。在选择封装材料和工艺时通常会考虑到这些因素。芯片的显著特性是其表面在受到物理损伤时显得极其脆弱。晶圆表面的器件距晶圆的外表面的距离相当小，表面的引线是细小且脆弱的。

   所关注的这些环境和物理因素可以从两个方面来阐述。第一个是邻近晶圆制造工艺结束处的钝化层的淀积。这可能是基于二氧化硅和氮化硅的硬质层。钝化层经常掺杂一些硼、磷或两者兼备来增强它们的保护特性。可替换的可能是像聚酰亚胺这样的软质层（见图18.4）第二种保护芯片的方法是由一个封装体本身来提供。