结电容器：在器件中，每个结都是一个电容器。当每个结的两边被加上电压时，载流子NE555DR就会离开结，形成耗尽区（见图16.8）。在器件和电路中，这种耗尽区就起到了电容器的作用。

   图16.7单片电容器    图16.8耗尽层结电容器

   在设计电路时，必须考虑结电容效应。实际上，在一些电路中就把结电容作为电路设计的一部分。这种自煞的结电容有降低电路运行速度的效应，这是因为耗尽区在有电流流过之前需要一定的时间来“充满”（或称为充电）电容器。不同的结电容需要不同的时间来放电，这些充放电的时间影响着电路的开关和运行速度。沟槽电容器：对于晶圆表面的节省一直是电路设计的一个标准。金属一氧化物电容器的一个问题就是它的面积相对比较大。而沟槽（隐埋）电容器可以解决这个问题。它是通过把沟槽竖直刻蚀到晶圆的表面从而形成电容器来实现的（见图16.9）。对于沟槽的刻蚀可以用湿法技术（各向同性）或者干法技术（各向异性）。沟槽的侧壁被氧化（介质材料），同时沟槽内部则填满了沉积的多晶硅。最终形成由硅和多晶硅作为两个电极，二氧化硅作为它们之间介电质的线状结构。可以用其他介质材料替换二氧化硅以增加性能。