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    飞利浦电子公司日前宣布其0.18微米cmos嵌入式闪存/eeprom技术现已完全符合grade-1汽车电子应用的需求，而其0.14微米嵌入式闪存/eeprom已开始在位于荷兰奈梅亨市的晶圆厂进行量产，这也是飞利浦第二家符合这一工艺生产要求的工厂。飞利浦表示，这两项最新的发展是飞利浦产品发展规划中的重要里程碑，表明其低功耗闪存/eeprom技术已扩展到90纳米cmos及更先进的水平。

    嵌入式闪存和eeprom存储器已成为当今许多片上系统解决方案的一个重要组成部分。它不但提供了在生产线上用不同的软件对这些芯片进行编程或进行现场软件升级的能力，还实现了对重要的本地数据例如pin密码或地址簿信息的存储，并且可以在设备断电的时候保留这些数据。典型的应用包括手机、电视机、mp3播放器和智能卡、以及电线驱动的汽车电子系统。

    飞利浦半导体嵌入式存储器技术战略规划经理（strategic program manager）frans list表示：“新的以及已经问世的片上系统解决方案所具有的向更先进的处理工艺发展的能力不应该因为缺乏合适的嵌入式存储器选择而受到阻碍。通过开发为嵌入到高性能cmos工艺而优化的低功耗非易失性技术，我们有信心我们的闪存和eeprom解决方案能够在未来至少两代cmos处理技术中具有竞争力。”

    gartner dataquest半导体研究副总裁mike williams表示：“对于下一代汽车电子应用而言，大量的市场将要求整体价格的降低和体积的减小，从而通过oem模式来实现产品提升。飞利浦为嵌入式闪存和eeprom开发的工艺技术结合了低功耗和可扩展性，使得客户能够简化下一代设计平台并取得显著的成本效益。”