二次离子质谱法( SIMS)基本七是一种离子铣和二次离子检测方法。 IRF1405PBF离子集中轰击样品表面并除去一个薄层。二次离子则由被去陈薄层的晶圆材料及其中的掺杂原子产生。这些离子被收集和分析，并用来计算每层掺杂杂质的数量，它接下来可以构造杂质的形貌图L2。

  光学地光学反射模式（热波）

   热波是为测量低剂量离子注入掺杂量的一种技术的通称。一一束氩激光（1¨m直径的点）加热晶圆表面的一个很小的区域引起硅的体积增大。体积变化依次改变表面的光学性质，通过第二束激光探测它。光学性质的变化来自于注入杂质的种类和注入量.

  物理测试方法

   产品的可靠性和良品率的保持都要求对缺陷和错误等进行在线检测，以消除线j二的町疑材料。工艺控制要求在每一个r：艺步骤上测量工艺结果，并且了解各种缺陷的数量、密度、位置和性质。这些数据来源于一系列与电路复杂性，比如图形尺寸、污敏感度和电路密度相关的测试和评估。

   这些测试在测试晶圆上或直接在产品晶圆上进行。产品晶圆的测试要求通过斜面技术使下层表面结构暴露出来，或用微切或聚焦离子束( FIB)去除电路的一部分。