上面介绍的四探针测试仪方法主要用于测量晶圆掺到晶体的电阻率。同时，AD8313ARM-T它也可以测量由掺杂工艺掺到晶圆表面的薄掺杂层的电阻率。当用四探针测试仪测量掺杂层时，电流被限制在薄层内（见图14.3）。这里所说的薄层是指层厚比探针之间的距离小的生长层。

   在薄膜卜测量的电性能称为方块电阻（sheet resistance，尺，），单位是欧姆每单位面积（∥口）。这个概念可以通过比较两块同样厚度相同材料的电阻来理解（见图14.4）。因为电阻率p都是相同的，并且厚度(r)也相同，丁，=疋，因此每个块方块电阻也是相同的。也就是说，对于相同材料的任意面积的薄膜，其电阻是一个常数。

   方块电阻与电流、电压之间的关系式如下所示：这里“4. 53”是由探针距离引起的常数。．一些公司计算时直接从公式中忽略该值，而仅仅测量晶圆的V//值，如图14.5所示。图14.4“方块”电阻    图14.5电压／电流与铝层厚度的美系图