晶圆制造工艺在工艺控制、设备操AD8073JR作和材料制造方面要求很高的精确度。一个工艺错误就有可能导致晶圆的完全报废。，一个致命的缺陷能毁掉·个芯片。在整个工艺过程中，晶圆和工艺质量好坏的评估是通过大量的测试和测量得出的。测试主要是在工艺处理进行中的晶圆、测试芯片、产品芯片和已完成的电路上进行的。本章将描述个体的测试。统计制程控制将在第15章中介绍。

   度量衡学( Metrology)是用于物理表面特征测量的概括性术语。关注点包括图形宽度、薄膜厚度、缺陷识别和定位及图形记录错误。一个好的特性曲线能为我们提供警告，以保证工艺不超出控制范围。而器件特性是我们分析器件性能并使之与顾客的要求保持一致的基础。因此，在工艺过程中的每一步，都有一系列严格受控的设备和工艺参数。例如，温度、时间等。而且在每个重要的工艺步骤之后，都会在晶圆或测试晶圆上对工艺结果进行评估c测试晶圆( te。t wafer)是指一些空白晶圆，或者一些专门为通过该项工艺后测试所用的晶圆。因为很多测试具有毁坏性，因此不能在有器件的晶圆上进行此类测试，也不能在芯片中有实际组成的部分进行此类测试。第7章至第13章已经标走了每道工艺的重要参数，例如，膜厚、电阻率和洁净度等。这里将对测试方法的基本原理、适用性及敏感范围进行介绍。

   一些是直接的，也有一些是间接的。其中一组包括对测试晶圆和实际器件电性能的测量。它们测量了某些工艺对电性能的直接影响，比如离子注入。为了推断出某一单独的工艺参数控制，我们需要对几个工艺的器件性能进行测量。另一组是直接测量某些物理参数，例如层的厚度、宽度、成分和其他参数。这一组包括缺陷的检测。第三组是测量晶圆内和表面以及材料内部的污染。

   毫不奇怪，测试和测量方法已经随着集成水平的提高和图形尺寸的减小而发生了很大的改变。甚大规模集成电路( ULSI)技术正引导着在纳米水平上的研究，被称为纳米分析时代( nanoanaly。i。era)。|。同时在线测试的成本也在七升。为优化工艺参数，更大的晶圆和更高密度的电路都要求进行更多的测试。大批量生产工艺要求做实时测试分析，以防止大批牛产晶圆报废。ULSI电路的数据管理系统通常包括在线统计分析和数据库管理功能。