由r电镀的低温和低成本， AD8031ARTZ-REEL7它已成为产生铜淀积的疗法16 7如果用于低矗介质层，必须是低温  种籽层必须均匀地覆盖在通孑L／沟槽的底部和侧面，以确保铜金属导线的物理和电特性均匀。铜的电镀已成为印制电路板( PCB)主流I：艺几f‘年f（见图13.19）。将晶圆悬在含硫酸铜( CuSO。)的池中，并和阴极（负电极）相连，通过施加电流，池中的成分分离。铜镀在晶圆外面，同时氢气在阳极释放。一个关注点是晶圆整片的均匀性。晶圆表面上的材料和结构变化会降低电流分布的均匀性，其结果可能是不均匀

的生长和密度。另一个关注点是在开口边缘处形成斜角。可通过淀积后分别的清洗步骤解决这一问题。晶圆表面的不均匀区域在CMP工艺中将有不同的去除速率。生产级的FICP系统将包括晶圆预清洗、电镀部分、斜角去除和退火。

  化学机械工艺

   在半导体工艺中，有几步使用化学机械工艺(CMP)，，第3章讲述r它在硅晶圆原材料平坦化的应用。第10章讲述了它在【艺中平坦化晶圆表面，其目的是为了提高光刻精度。铜后CMP是一个类似的工艺，但是有不同的表面要被平整和平坦化．，在铜电镀过程中，通孔或沟槽孑L过度填充以确保沟槽被完全填充。在进行下一步工艺之前，必须通过去除溢出的铜将表面重新平整。工艺和细节已在第10章讨论过。